RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
53
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.4
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2110
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link