RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
53
60
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.8
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2.8
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
7.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
2.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
1505
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link