RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
53
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
10.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
8.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2504
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Unigen Corporation U51U7200N8DD-BDH 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link