RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
53
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
49
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
10.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
8.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
2504
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link