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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
53
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
11.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
9.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2532
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
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