RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
53
Rund um -141% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
8.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2633
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston 9905584-032.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link