RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
50
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
11.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
2846
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link