RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
50
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
11.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
2846
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link