RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
50
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.2
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
14.4
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2846
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link