RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
50
Autour de -92% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
2846
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link