RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
50
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2846
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link