RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
53
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
8.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2414
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link