RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
53
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
45
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
2414
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link