TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

Gesamtnote

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Gesamtnote

Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Unterschiede

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 11

Durchschnittswert bei den Tests

Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

46 53

Rund um -15% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.7 1,590.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 6400

Rund um 2.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

Wichtigste Merkmale

Speicherart

DDR2 DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns

53 46
Lesegeschwindigkeit, GB/s

3,726.4 11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s

1,590.1 8.7
Speicherbandbreite, mbps

6400 17000

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

522 2481

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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