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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
53
左右 -15% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
46
读取速度,GB/s
3,726.4
11.0
写入速度,GB/s
1,590.1
8.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2481
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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