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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
比较
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
总分
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
差异
规格
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Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
42
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
30
读取速度,GB/s
12.8
18.0
写入速度,GB/s
8.3
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2095
3334
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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