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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
30
左右 3% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
30
读取速度,GB/s
16.9
18.0
写入速度,GB/s
12.0
13.8
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3334
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
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