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Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
比较
Kingston KP223C-ELD 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
总分
Kingston KP223C-ELD 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KP223C-ELD 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
22.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.1
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.4
22.2
写入速度,GB/s
8.8
17.1
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2137
3871
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
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Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
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