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Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB vs Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

总分
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Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

总分
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Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KP223C-ELD 2GB 需要考虑的原因
Kingston KP223C-ELD 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 38
    左右 29% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.8 left arrow 8.5
    测试中的平均数值
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.7 left arrow 13.4
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时，ns
    27 left arrow 38
  • 读取速度，GB/s
    13.4 left arrow 13.7
  • 写入速度，GB/s
    8.8 left arrow 8.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2137 left arrow 1865

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