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Kingston KP223C-ELD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB

Kingston KP223C-ELD 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB

总分
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Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KP223C-ELD 2GB 需要考虑的原因
Kingston KP223C-ELD 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 67
    左右 60% 更低的延时
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.7 left arrow 13.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.0 left arrow 8.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KP223C-ELD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    27 left arrow 67
  • 读取速度，GB/s
    13.4 left arrow 16.7
  • 写入速度，GB/s
    8.8 left arrow 9.0
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2137 left arrow 1879

Kingston KP223C-ELD 2GB RAM的比较

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB RAM的比较

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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
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内存RAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
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内存RAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
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内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Kingston 9905678-156.A00G 8GB
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内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
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内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston 9905622-024.A00G 4GB
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内存RAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Kingston 9905625-142.A00G 16GB
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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