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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
74
左右 -155% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
29
读取速度,GB/s
4,178.4
17.0
写入速度,GB/s
2,201.1
15.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3781
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
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