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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
53
Rund um -51% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2767
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
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G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
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Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
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