RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
53
Por volta de -51% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
11.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
2767
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link