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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
53
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
12.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3100
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
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