RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Gesamtnote
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
96
Rund um 74% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
96
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
5.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2698
1211
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link