RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Gesamtnote
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
43
Rund um 42% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
9.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2180
2571
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD AE32G1339U1 2GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link