RAM-Vergleich TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB

Gesamtnote

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

25 37

Rund um 32% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

14.2 12.5

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

10.7 8.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 10600

Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2180 2591

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns