RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
96
Rund um -336% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
13.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
3220
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link