RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
96
Rund um -317% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
13.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
2993
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link