RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
96
Rund um -220% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
12.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
2866
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link