RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
19.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
96
Rund um -284% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
16.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
3890
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link