RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
52
96
Rund um -85% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
10.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
2472
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link