RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
96
Rund um -284% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
14.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
3413
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link