RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
96
Rund um -220% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
11.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
3119
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link