RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
96
Rund um -182% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
11.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
2962
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link