RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
26
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2354
3091
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link