RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
44
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
14.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1853
3573
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link