RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
44
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
11.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1853
1870
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Team Group Inc. Quad-Vulcan-1600 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link