RAM-Vergleich Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Gesamtnote

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

36 44

Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.8 10.9

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

11.8 7.5

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 10600

Rund um 2.01 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1853 2497

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns