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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

総合得点
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 44
    周辺 -22% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 10.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 15.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 11.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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