RAM-Vergleich Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Gesamtnote

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

44 45

Rund um 2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

10.9 10

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.1 7.5

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 10600

Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1853 2414

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns