RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

総合得点
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    44 left arrow 45
    周辺 2% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.9 left arrow 10
    テスト平均値
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB 考慮すべき理由
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.1 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 45
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 10.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 8.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1853 left arrow 2414

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAMの比較

Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
メモリRAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
メモリRAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP564U64CP8-C4 512MB
SK Hynix HYMP564U64CP8-C4 512MB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
メモリRAM