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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
44
Rund um -91% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
7.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1853
2103
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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