RAM-Vergleich Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Gesamtnote

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

19 44

Rund um -132% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

19.5 10.9

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

15.8 7.5

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 10600

Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1853 3435

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns