RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
44
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
19
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
19.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1853
3435
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link