RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
27
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
14.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2051
3008
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link