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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

总分
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A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

差异 规格 评论

差异

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 27
    左右 7% 更低的延时
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.4 left arrow 12.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.9 left arrow 7.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    25 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    12.6 left arrow 18.4
  • 写入速度，GB/s
    7.2 left arrow 14.9
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2051 left arrow 3008

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较

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内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Crucial Technology C 8GB
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内存RAM
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G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
内存RAM
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Kingston 9905625-096.A00G 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Kingston 9965684-005.A00G 8GB
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内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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Kingston 9905711-032.A00G 8GB
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