RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
51
Rund um 51% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
7.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2051
2248
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link