Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

Gesamtnote
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Gesamtnote
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Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    25 left arrow 35
    Rund um 29% geringere Latenzzeit
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.2 left arrow 12.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.7 left arrow 7.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 10600
    Rund um 2.01 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    25 left arrow 35
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.6 left arrow 15.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.2 left arrow 10.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2051 left arrow 2773
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RAM 1
RAM 2

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