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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

总分
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Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

差异 规格 评论

差异

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 35
    左右 29% 更低的延时
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB 需要考虑的原因
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.2 left arrow 12.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.7 left arrow 7.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    25 left arrow 35
  • 读取速度，GB/s
    12.6 left arrow 15.2
  • 写入速度，GB/s
    7.2 left arrow 10.7
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2051 left arrow 2773

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较

Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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内存RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
内存RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
内存RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
内存RAM
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
内存RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
内存RAM
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
内存RAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
内存RAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
内存RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
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内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
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