Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U648-C4 512MB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U648-C4 512MB

Überprüfung RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U648-C4 512MB, Spezifikationen, Benchmarks

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U648-C4 512MB Überprüfung der Speichermodule. Wichtigste technische Merkmale und Benchmark-Leistungsbewertung von PassMark. Wir empfehlen, alle Daten zu studieren und sie mit dem Wettbewerbsmodell zu vergleichen.

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Eigenschaften
  • Type
    DDR2
  • Name
    Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U648-C4
  • Merkmale
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Speicher-Bandbreite
    4200 mbps
  • Timings / Taktgeschwindigkeit

    * Überprüfen Sie die Website des Herstellers

    4-4-4-12 / 533 MHz
Leistung von PassMark
  • Latenzzeit
    47 ns
  • Geschwindigkeit lesen
    3,570.2 GB/s
  • Schreibgeschwindigkeit
    1,790.2 GB/s
# 333 400 533 667 800 933 1067 MT/s
4 12.00 10.00 7.50 6.00 5.00 4.29 3.75
5 15.00 12.50 9.38 7.50 6.25 5.36 4.69
6 18.00 15.00 11.25 9.00 7.50 6.43 5.62
7 21.00 17.50 13.13 10.50 8.75 7.50 6.56
8 24.00 20.00 15.00 12.00 10.00 8.57 7.50
9 27.00 22.50 16.88 13.50 11.25 9.64 8.44
10 30.00 25.00 18.75 15.00 12.50 10.71 9.37
11 33.00 27.50 20.63 16.50 13.75 11.79 10.31
12 36.00 30.00 22.50 18.00 15.00 12.86 11.25
CL

Die CAS-Latenzzeit misst die Anzahl der Taktzyklen, die von der Anfrage zum Lesen von Daten bis zum Vorliegen dieser Informationen vergehen.

Leistungstests

Echte Tests Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U648-C4 512MB
Latenzzeit
PassMark durchschnittliche Verzögerungszeit
Ungepufferte Übertragungsgeschwindigkeit beim Lesen
Durchschnittliche Lesezeit im Speicher ohne Zwischenspeicherung
Geschwindigkeit der Schreibübertragung
Durchschnittliche Schreibgeschwindigkeit
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